求助(IEC 60335-1 １９章电子失效的实际操作方法)

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如何对MOS 做IEC 60335-1 A2 cl 19.11.2 g)的测试？
3 H- R1 s  w4 G

节示标准如下：

19.11.2 g) failure of an electronic power switching device in a partial turn-on mode with loss of gate (base) control. During this test, winding temperatures shall no exceed the values give in 19.7.
; `/ s7 j  n( s% ], ^5 q
0 q; }. r# _. \; o+ f5 DNOTE 3 This mode may be simulated by disconnecting the electronic power switching device gate (base) terminal and connecting an external adjustable power supply between the gate (base ) terminal and the source (emitter) terminal of the electronic power switching device. The power supply is then varied so as to achieve a current that will not damage the electronic power switching device but give the most onerous conditions of test.


0 }; {) S/ U1 ]9 |: B6 A+ F
' Z, |1 R& |, T1 U5 Q5 t标准的意思:

8 _& `9 l& y" b/ o3 R! u将MOS管的栅级断开再外加电源为MOS管供电，目的是要模拟出既要MOS不烧坏又要出现发热的最严酷的情况。标准上只是说了个原则上是：既要MOS不烧坏又要出现发热的最严酷的情况.
' u- A7 b+ G2 u) A, ^! B) z: |9 p4 \
# N: ]- G, E- E5 k1 b: V* T7 }但是实际操作比较困难!
+ v' a% g: w$ e  X4 f3 B  _
% H1 ^# o, e- F# ]" P那位大佬有没有比较好的办法分享一下?　谢谢!