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[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

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楼主
发表于 2008-8-6 09:10 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
顶层是SDRAM,底层FLASH,几乎交叠,在交叠处有不少线是通过电源层走的,SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!
  N5 w$ C, v3 E5 {. q) Y顶层是SDRAM,底层FLASH,几乎交叠,在交叠处有不少线是通过电源层走的,SDRAM的125M  CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!, A; _7 i" d6 B7 R' ]9 T
疑问:都说高速数字PCB设计时影响EMC的重要因素就是电流的回流路径及环路面积,最好做到最小话;现因成本问题只能用到四层板,也只好利用电源层来走线。现出现超标的部分比较多,100M到200M之间普遍较高,有些许频点会超标;125M CLK的时钟两倍频,三倍频会严重超标。9 a: k9 m. ~# B. V/ D
问一:在测CLK及SDRAM 数据脚波形时,都是以SDRAM的附近刮出一个地来测量波形,此时测量的波形信号完整性还算可以,但如果以远处的共地来测量的话,波形形状一致,但电压严重过标了。(供电3.3V,近地时peak--peak大致4.3V,远地时则有5.5V之多);这样的问题反馈的是否就是所谓的共模电流带来的EMC现象。而共模的引起则是电源层走线带来的回流路径严重变坏?; C) Q" l" I2 z' Q
问二:都说屏蔽和接地是实在没办法之后考虑的方案;我们有液晶背光板的引线,跟提供电源的引线,引线数目很多;用频谱仪测得的大致,也是CLK的125M 两倍频跟三倍频的频点特别高。线上套磁环固然可以降低,但总觉得不是最好的选择,而且空间也很难容许。如果只在电源线上加磁珠,是否会有效果?其他的数据线应该也是照样可以携带电磁波出去的啊,又该如何解决?
' N0 Y/ W$ }! f( X. D问三:方案上去耦电容都是用0.1uF的电容,可很多材料上说其频率范围较低,是否该取用0.01u的电容,或加用呢?这个对消除问题会有帮助么?
- L8 u. u2 Y. U# f/ O因为测下EMC的费用较高,所以很多疑点也都集中在脑子了。上次有用频谱仪进行大致的摸底,可发现很怪异。在频谱仪上看到明显加个电容效果好点,可实际测时反而超标更严重。甚是疑惑) w5 `" _) a1 n
总觉得理论还是不够懂,与实际分析老是冲突。还是高手们指点一二啊,项目较急,拜求高手们啦!!!!!
22#
发表于 2009-5-20 21:02 | 只看该作者
感觉有点象屏幕信号时钟的倍频啊,现在很多屏都是25M时钟的,经常容易在视频信号线和电平转换那里出来比较高的辐射
21#
发表于 2009-4-30 15:18 | 只看该作者
有geber file 嗎 因為我猜您應該有分gnd八
20#
发表于 2008-12-7 01:49 | 只看该作者
严重学习中。。。。
19#
发表于 2008-11-24 17:20 | 只看该作者
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..# z% B' U9 R8 R7 Z8 z5 `
0 x) D; |& H' e' n7 v- m# o
   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
18#
发表于 2008-11-24 17:03 | 只看该作者
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :
' C% _$ a( g  f' B: Y( [感謝版主的討論..
( S+ t' O7 B) N$ e9 @7 q- H1 o" J/ u, f+ W0 w
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...) p. H; v- L+ q$ R# i" ?9 ~" ~
很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與
% I4 Y5 J- r1 z. W# I+ j判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
17#
发表于 2008-11-24 16:00 | 只看该作者
感謝版主的討論..7 o( w: _4 l8 H
& n7 Q, B2 a1 S
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
3 H. Q9 M: i  W, {) ~. W9 H& t很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與2 ^" o/ n! z" N) b
判斷才能得知,
16#
发表于 2008-11-24 08:58 | 只看该作者
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :5 a  Z9 C, f; ~$ ]
幾個建議方案 :
- a( q" W) Z; x  m3 z0 j                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
; g9 u: U6 z! `/ Y$ @/ y- O$ c$ M2 y- W/ F# D
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)2 r" k- F) n3 P" ?0 L
3 _* c* F1 v/ j5 B# d( l! j
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
15#
发表于 2008-11-17 12:08 | 只看该作者
幾個建議方案 :
  m. n, o  o( v0 O8 M6 |                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.9 v, w/ d. D; k

3 l& ?5 N  o0 k% N9 J                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)
5 Z+ k6 j9 @; k8 }  I' ]2 }2 ^2 G: z) X( o6 T6 p
                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在
: ^% V/ |! M) w4 G4 U          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容# f  c. z' s7 k, m
          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增. @- e* o8 F  C
          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)
; ~: n' f: R7 E# E% m
/ X3 p$ |* v) z) {                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在$ f8 K  d  ^1 F9 V2 P8 a: \
          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右
4 N7 G4 X" Z$ e- R4 f* w/ N% O. w9 @          ,而且要看是否影響到function)
0 \/ P9 ?; s% r
* x* q4 p* c# ~% ~' c1 S                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻
7 U$ O: m8 L, j7 F9 c8 x5 [& Z  ~
        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性
5 n$ c1 n* E& @  K+ D! ]% r6 D$ o' Z" ^, O0 I& O
        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起
) c. n" u% I1 R2 f" H8 |$ a  W3 \4 G* e+ Z
        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane! v* R# W  ~2 P+ U; I  j6 s& q. o

5 a" f% \0 T2 \) @2 H( N                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給3 K" W( P  O4 O  f& R8 d
          這些線路走線用
7 G/ w. P: |- K& K
5 [6 n& O1 E) a' |& W" ~        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路8 X: R3 H$ I0 U5 M+ g
: K; ]3 x, f# C' r
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,% }, |1 U. X0 ?) q
                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
9 O* _/ y5 z1 H% s                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像4 w& h. ~) @6 s& n
6 I0 i9 g2 Q/ {2 Y, u' [* b
        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or ; L* t1 O( T$ L% I, h  N
                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.2 C' {4 o' s3 F* T4 A# d. R, I" P
+ \4 h# a% h( U# H: R: Y, _
     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,
) u# t8 y- R0 y' g  無僅能依您所述判斷,
14#
发表于 2008-11-15 21:37 | 只看该作者
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :
2 w* ]) o0 q, M6 L我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻6 H* S; I  n9 d, d* |
  R3 N7 z0 R2 R4 l! n  o8 M) ]
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。
" W% H; K( {2 V可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.
9 q2 D; C; o! W, H$ P  a5 l难道240M FAIL就一定是USB吗?
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