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楼主: whynoreason
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[电磁兼容对策] SDRAM的125M CLK 的两倍频跟三倍频会超标较严重,寻求解决方法!

[复制链接]
11#
发表于 2008-11-15 17:33 | 只看该作者
广东安规检测
有限公司提供:
125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
12#
发表于 2008-11-15 18:30 | 只看该作者
引用第11楼aluminu于2008-11-15 17:33发表的  :
: Y1 W! F3 g$ F$ r" U& [) l125M 多半是網路設備裝置 最難修改的頻率  .....
楼主都说是SDRM的CLK问题,你别扯远了。
13#
发表于 2008-11-15 21:32 | 只看该作者
我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻
, g7 z. `( c# g% K$ m 0 E- f: L9 W$ J+ g
這是可驗證的.............
14#
发表于 2008-11-15 21:37 | 只看该作者
引用第13楼aluminu于2008-11-15 21:32发表的  :
6 t/ o3 f7 w( d# s' P3 u) c5 U9 Q我想 改過網路設備EMI 的 皆知  10/100/1G 內部的 LAN部份 多半會帶出 125M的倍頻: \( ?7 G1 ~. I0 q" k
; f) M+ I1 g6 u! H( W; h
這是可驗證的.............
这个当然是不错的。10/100M主频是25。1000M是125。2 Z  R- o2 x. }) A3 ?
可这和SDRAM是两回事,你别搞错了.
: P$ {% L; B* |难道240M FAIL就一定是USB吗?
15#
发表于 2008-11-17 12:08 | 只看该作者
幾個建議方案 :' {- w8 D6 U+ y$ l1 S9 K
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
6 d7 p$ y( t% ~! W$ A
5 n& h2 H1 U7 R                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上)# W7 ~1 M# w. E
* X. C: M* s( }1 M) [1 [  }
                c. 測一下附近的ripple是否很高(尤其是VCC and GND),依您所述,可能有broad band noise在' l8 D# ?: b5 h( \6 O* y, [
          100~300MHz左右,如真有此band,則建議先解決VCC and GND的問題(VCC過高,請以高容
8 h- u. |* s' f8 C& `          電值電容解決;GND ripple過高則運\用接地性或隔離性解決,此部份要看實測狀況,有些時候增
2 H9 W4 p$ Q: Z. p' |% o0 l          加接地性可能無效,因為可能在那附近的ripple過高,此時就不適合接地性,反而適合隔離解決)
6 N- Z9 j3 ?1 X* s/ Y3 Q
) E$ P' [2 Z- `) ?9 G" b                d. 於SDRAM靠近Main chip端加Bead(選Z and R交叉點在100~200MHz之間且impedance在
9 G! g! h* o* J* P8 O          100 ohm以下,impedance不要太大,以免影響Vpeak level) and capacitor(約10p~27pF左右
- z. O" M# I- e9 B7 a  A& C2 q; @, I          ,而且要看是否影響到function)
. d1 Z9 p5 X1 p' B
4 x# n! J" y& w: \1 ]+ [                e. Data trace靠近Main chip端加約22 ohm左右的電阻
: r3 w7 Q( R2 h( m0 f6 h7 s% p7 Y* a. A, O: g# L
        f.  增加LCD panel與Main board之間的接地性6 c' @( `3 {& N- ^5 o, ?' ~

9 n- S8 S; Q4 C$ T, n        g. 兩個不同的電源層上利用100pF~1000pF左右的電容接在一起' J8 Z5 R! y% B4 I" C; l3 J
% a- s/ b3 e, y' ]0 i' ]
        h. Main chip / SDRAM / Flash的下一層應為GND plane
4 [4 I  Z$ |! g. T9 P' V/ j- Y/ `( |& [- E
                i.   Trace儘可能不要走到VCC plane,因為他們為高速數碼電路,若不得以,則將此區域挖空給
; D- F* J. a; w/ v/ m' q7 V, v          這些線路走線用
" ?+ L+ g4 ?9 l+ J2 b. L! E
& w1 f5 |3 Q4 F* c        j.  減少LCD的RGB trace的走線距離,並遠離高速數碼電路
1 ~2 H( V, `! s- C# N) U  I! \0 k3 I
        k. LCD背光引線遠離Main board,且一定要遠離幾個主要的IC; 看一下拔掉引線後,
9 s' s. V; S& J. @0 y  l. e7 [                    100~200MHz的band是否會變低,如果會的話,則在LED+ and -纏成絞線且更要遠離Main
" n$ w0 {3 K$ S% c) X# \. J1 P                    Board; 也可試著在LED+ and LED-加high u 電容解決,不過要注意是否影響影像
7 ]" u- Q/ m' X% k# d( h
0 o7 w/ S$ m# i1 s( n7 M8 o        l.  電源引線的源頭利用Scope量一下ripple是否過高,若過高則在源頭加Bead or
9 z7 s) q5 _% i) H( x2 r& g                    Common mode choke or Capacitor解決,若無法則需加Core.
  A. p3 ]& f8 B" w0 t/ p) M! m4 Q7 y" y) e
     以個人經驗覺得可能跟SDRAM clock無關,應該跟LCD訊號有關,不過因為無實際參與您的測試,
; p) j' }: O: X$ f6 c- L  無僅能依您所述判斷,
16#
发表于 2008-11-24 08:58 | 只看该作者
引用第15楼pwu5于2008-11-17 12:08发表的  :
3 c5 S, X/ l! @0 w; a0 H: v幾個建議方案 :4 b! V3 H* p! A5 T7 L- D; I. F2 c* i
                a. SDRAM and Flash與Main chip放在同一層且盡可能靠近Main Chip.
4 q+ }4 X  x# C# h* J% l2 \; u4 r! d
                b. SDRAM clock與main chip之間的trace越短越好,且不要穿層(走在同一層上). ]; Q3 l- l6 Q0 b: p
8 t& r  x) m8 `! n
.......
楼上应该是搞EMC design的,想法是一些理论的,固定有说服力,但实际测试还是要根据测试结果来定,你讲的一些东西似乎跟主题有差距,人家既然都说了是SDRM 125M CLK,说明他应该有debug过。我们而不是误导他方向。
17#
发表于 2008-11-24 16:00 | 只看该作者
感謝版主的討論..
# F' _5 s7 Y' ~! G1 @3 _2 ?5 @$ ?9 E! H
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
1 e+ c) }" U# o9 k4 P, Q很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與4 }6 I/ O! ?( i
判斷才能得知,
18#
发表于 2008-11-24 17:03 | 只看该作者
引用第17楼pwu5于2008-11-24 16:00发表的  :& |& e% Y6 o0 W( h! {4 s8 b
感謝版主的討論..
8 _# h' \  w  U5 V  v4 t$ l/ E1 `. f# \- i7 {) J4 Q
我是搞EMC design,test and debug的,我只是依經驗來判斷,我也了解樓主有測試過,我只是怕他搞錯方向的建議,...
+ @4 \; ~7 ^% R; `很多時候自己找到的方向不一定就是方向,僅提供幾個方向給他,能不能relayout,是否我所述...則當然是需要當時測試與! U; B$ Q# s$ }* s
判斷才能得知,
呵呵,你别误会,我没有其他意思。既然你是做EMC DESIGN的,我以后还得请教你这方面的问题。不知道你对于消费性电子的ESD性能设计有没有经验,类似于MP3,DC类的。。。
19#
发表于 2008-11-24 17:20 | 只看该作者
我沒別的意思..說過是討論了..所以難免會有不一樣的反應..別在意啦..$ [* G& q2 A! ~6 P  ~: ]

1 E: U2 A8 _+ d% O( z; g3 `# L   我也曾做過ESD對策改善,所以若有問題可以提出來大家做個討論,不然就失去這個站的意義嘍..^_^
20#
发表于 2008-12-7 01:49 | 只看该作者
严重学习中。。。。
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