电磁兼容的具体实例

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对电磁干扰源要有明确的认识
    例如，某探测设备在探测元件无输入信号时，其放大器输出端的干扰信号峰值为50.8mV，远远超过了该探测设备输出端最小探测信号电压峰峰值4.0mV的要求，致使整个设备无法正常工作。

    该台探测设备的驱动电源采用直流斩波式方波交流电源，驱动螺线管电磁铁往复运动，由上可见，驱动电源的负载为感性的电磁线圈。对感性的电磁线圈采用直流斩波式方波交流电源供电，在斩波时将产生严重的电磁干扰。因为感性的电磁线圈中的电流变化必然产生感应电动势，电流变化越快，产生的感应电动势越大。这种感应电动势将会通过某种路径传导耦合到放大器的输出级，而成为严重的电磁干扰。

0 p  D/ o9 P) O) Y* J( M    该台探测设备的驱动电源采用线性纯正弦波电源时，在探测元件无输入信号时，在放大器输出端最大探测信号电压峰峰值仅为4.4mV。而且有随机性质的噪声电压，其峰峰值最大为3.0mV。说明原来干扰信号已被极大地消除。
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    从该项工作中，使我们体会到电磁干扰的严重性，对电磁干扰的认识仅停留在一般的水平上，广泛地、全面地采取各种抗干扰措施也不一定见效，必须抓住主要矛盾。

6 B9 n# A/ v, N- J8 x7 c/ j( {    再举一例，某电子设备，当打开电源开关时，其测量显示呈紊乱状态。究其原因，正是在电源开关时刻，电路由一种稳态转换到另一种稳态的过渡过程中，所出现的过电压、过电流所致。为此，采取一定容量和电压的氧化锌压敏电阻并联在电源上，便收到了较好的效果。这也说明对电磁干扰源有明确认识时，才能有的放矢地采取抗干扰措施，效果明显。
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5 s7 N6 z) @! _* s( K& q    [2] 对电磁干扰可能的传播路径要有清楚了解
" J# f9 o5 s, l( k    在核聚变化学研究中，将巨大的微波能量耦合到等离子体中，以提高核聚变物理参数。为此，需要高能大功率发射系统。其主电源脉冲电压达20kV，最大脉冲宽度30ns，最高脉冲功率2400kW。该电源通过电感储能，直流开断，脉冲整形等一系列环节，由微机控制来实现。
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    调试过程中，当电压达数kV时，系统便无法正常运行。轻则控制程序出错，重则程序全部被冲掉，更严重时微机芯片被烧毁。由于对电磁干扰认识肤浅，，盲目地采取各种措施，如重新布线，改善接地，增加电磁屏蔽和隔离等等，忙了几个月均不能根本解决问题，挫折迫使我们冷静下来。在进行了科学分析后，认定必须要对幅度高达数kV，前后沿很陡的这一电磁干扰源有清楚了解，并对其可能传播的路径采取加强隔离措施。在对光电隔离器采取双重设计后，微机能稳定、可靠地工作了。

    再举一例，在激光电源低功率调试中发现应交替导通的两个逆变开关IGBT的触发信号存在重叠现象，即有互相干扰。如果不消除这种干扰，可能发生主电路直通故障。基于以前积累的对电磁干扰可能的传播路径要有明确认识的工作经验，我们从逆变开关IGBT的触发端倒推，一级一级地检测出触发信号，直到产生触发信号的TL494集成电路的两个输出端，发现这两个输出端的引线距离很近，且平行布线很远。通过分析表明，这种情况容易产生电容性耦合干扰，干扰的强弱与工作频率及两条引线之间的分布电容量有关。当我们将其中一条引线切断，用一条拉开很远距离的临时导线代用后，两个逆变开关IGBT的触发信号不再发生重叠现象了。
    从该项工作中，使我们体会到对电磁干扰可能传播的路径有明确的认识，才能顺利地排除电磁干扰。否则将无从下手解决存在的电磁干扰问题。
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    [3] 对易接收电磁干扰的电磁敏感电路和器件要进行重点保护
- B7 G# _- z* Q, x/ Z0 X3 t$ P    还是上述的第一个例子中，某探测设备在探测元件无输入信号时放大器输出端的干扰信号远远超过最小探测信号电压值，致使整个设备无法正常工作。
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3 M: K* V: ~6 I, t$ N( `2 k$ d$ Q1 y    经过认真分析和实际测试，除了对电磁干扰源缺乏明确的认识和电磁干扰可能传播的路径缺乏清楚了解外，对易接收电磁干扰的电磁敏感电路和器件——传感器输入电路和前级放大电路主要采取两项电磁兼容性措施：
' b3 F- K: W9 g9 O. ~& w8 d' v    (1)信号接地 信号接地的主要目的是为了抑制电磁干扰，应当特别注意低电平电路、信号检测电路、传感器输入电路和前级放大电路的接地。

    该探测设备的传感器输入电路、前级放大电路和末级放大电路的接地应该只设一个接地点，因为多个接地点会引入共模阻抗的干扰。而这个接地点的位置应当选择在保证地线中的电流流向为从小信号电路流向大信号电路，从而避免大信号电路的地线电流对小信号电路产生干扰。
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    (2)屏蔽 加强该探测设备的传感器输入电路和前级放大电路电磁屏蔽，并注意屏蔽的完整性和良好的接地措施。

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电磁屏蔽设计时，一般采用电导率高的材料作为屏蔽体，并将屏蔽体接地。它是利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场的干扰，有因屏蔽体接地而实现电场屏蔽。屏蔽体的厚度不必过大，应以趋肤深度和结构强度为主要考虑因素。另外要注意屏蔽的完整性，如果屏蔽体不完整，将导致电磁场泄漏。