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[电磁兼容对策] 关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法

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楼主
发表于 2012-9-11 09:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
关于EMI方面的,对于不同频段干扰原因及抑制办法:5 H. Z/ W5 v7 u- w
1MHZ以内:以差模干扰为主,增大X电容就可解决大部分问题;; E: m1 I/ j0 ]" O, T# i( l
1MHZ---5MHZ:差模共模混合,采用输入端并10uF的X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;% R9 F1 t' A" [2 V1 R: ~8 @
5M---以上:以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法,对于有外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减;
对于25--30MHZ:不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器.;
9 {. H6 l/ ?4 j30---50MHZ:普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决;% R" {  `& ?& T# s( R9 V
100---200MHZ:普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠 。
沙发
发表于 2012-9-13 23:22 | 只看该作者
学习了!
板凳
发表于 2012-9-15 17:59 | 只看该作者
学习了,支持下
地板
发表于 2013-3-22 14:55 | 只看该作者
学习了,谢谢!
5#
发表于 2013-9-16 11:15 | 只看该作者
学习了,谢谢
6#
发表于 2013-12-7 16:36 | 只看该作者
之前遇到5M以内的影响,基本也是以上方法解决
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7#
发表于 2014-2-10 00:09 | 只看该作者
本帖最后由 leaphile 于 2014-2-10 00:47 编辑
. I# X* k& E1 m/ m& q5 ]+ Z3 }, S" R
学习了, 谢谢!
' B9 C- R2 T& E2 @/ b- @  [9 S
8 L$ a- F' T# ?0 W0 e弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?& M& I$ F/ @8 k' d" H
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8#
发表于 2014-2-17 15:12 | 只看该作者
leaphile 发表于 2014-2-10 00:09 ) N4 J; h; T6 l: A
学习了, 谢谢!7 `6 C7 n4 ]/ f3 G9 h
4 b* U* L/ R, U. h' o
弱弱的问一下, 请问什麽是RCD?

7 G- u1 x8 [& s" F可以问度娘去呀
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9#
发表于 2014-2-18 22:24 | 只看该作者
本帖最后由 leaphile 于 2014-2-18 22:27 编辑 , n6 Y7 S4 K& n+ A  ~+ N5 ]
yuqijun 发表于 2014-2-17 15:12
5 y, x4 Z0 w2 q9 r. g% ~6 a可以问度娘去呀

3 I$ c4 w* M. Z$ K: N" C0 @偶是新手, 很多事也不懂, 才问的
) n2 o( U! L5 b& {  l( o% j9 Z9 y1 _- k  Z
上网见 RCD = residual current device, 但觉得在这里没可能是这个吧, 故才请教各高人的
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10#
发表于 2014-10-21 22:58 | 只看该作者
"采用输入端并10uF的X电容"------X电容最大也就是1uF, 要并联10个?
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