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[音视频设备] 连接器上的各种电磁干扰

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发表于 2007-7-19 09:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
广东安规检测
有限公司提供:
连接器上的各种电磁干扰
6 q0 m4 O; g" Y
' m0 x+ R. O2 J5 k' j1 W
9 x4 U" v- {* d4 [: c/ b) ~' X射频干扰源9 X5 i" N4 h* R
  - n' G0 \6 v" @7 q+ }
  当今,电子系统的时钟频率为几百兆赫,所用脉冲的前后沿在亚纳秒范围。网络接口传输数据速率为100Mbit/s和155与622Mbit/s(ATM-异步传输模)。高质量视频电路也用以亚纳秒级的象素速率。这些较高的处理速度表示了工程上受到不断的挑战。0 w; Y# X: L( ^& z) I
  
- x  ^1 S; m& ~" S' }  这样的挑战之一是射频(RF)干扰,这是由于电磁能量的快速变化引起的。电路上振荡速率变得更快(上升/下降时间),电压/电流幅度变得更大,问题变得更多。因此,今天同以前相比,解决电磁兼容性(EMC)就更艰难了。) V6 B; A& m" O" k" Q; D
   ) c9 \/ ?( q$ I/ d. r+ Z/ ?
  在电路的两个波节之前,快速变化的脉冲电流,表示了所谓差模噪声源,电路周围的电磁场可以耦合到其它元件上和侵入连接部分。经感性或容性耦合的噪声是共模干扰。射频干扰电流是彼此相同的,系统可以建模为:由噪声源、“受害电路”或“接受者”和回路(通常是底板)组成。用几个因素来描述干扰的大小:% d- B4 v/ s# C( h, |
  ●噪声源的强度
$ |8 h/ R& [( W  ●干扰电流环绕面积的大小! w6 w- g4 L; t% G
  ●变化速率
* o) k3 u' L% \- @  
3 V2 W; B8 \1 i+ ]5 }  O; _- b  于是,尽管在电路中有很可能产生不希望的干扰,噪声几乎总是共模型的。一旦在输入/输出(I/O)连接器和机壳或地平面之间接入电缆,有某些RF电压出现时,导致几毫安的RF电流就能足以超过允许的发射电平。7 I5 F# N% X" i! f7 N# [
噪声的耦合和传播
* h* W* o6 U7 \2 G; x+ R5 x  # B( I. k* ~* _, R+ n" F; _% R, o
  共模噪声是由于不合理的设计产生的。有些典型的原因是不同线对中个别导线的长度不同,或到电源平面或机壳的距离不同。另一个原因是元件的缺陷,如磁感应线圈与变压器,电容器与有源器件(例如应用特殊的集成电路(ASIC))。, h" V& S& J' k7 v
  
4 k, o4 f$ b; ?  磁性元件,特别是所谓“铁芯扼流圈”型贮能电感器,是用在电源变换器之中的,总是产生电磁场。磁路中的气隙相当于串联电路中的一个大电阻,那儿要消耗较多的电能。于是,铁芯扼流圈,绕制在铁氧体棒上,在棒周围产生强的电磁场,在电极附近有最强的场强。在使用回描结构的开关电源中,变压器上必定有一个空隙,其间有很强的磁场。在其中保持磁场最合适的元件是螺旋管,使电磁场沿管芯长度方向分布。这就是在高频工作的磁性元件优选螺旋结构的原因之一。
" @; ~3 q9 X3 K1 a( V  " C! t" J0 b* w8 i7 s
  不恰当的去耦电路通常也变成干扰源。如果电路要求大的脉冲电流,以及局部去耦时不能保证小电容或十分高的内阻需要,则由电源回路产生的电压就下降。这相当于纹波,或者相当于终端间的电压快速变化。由于封装的杂散电容,干扰能耦合到其它电路中去,引起共模问题。/ G$ B. k6 d* [& G' h6 [
  7 u+ T$ y  r* j* T. J/ n& B
  当共模电流污染I/O接口电路时,该问题必须解决在通过连接器之前。不同的应用,建议用不同的方法来解决这个问题。在视频电路中,那儿I/O信号是单端的,且公用同一共同回路,要解决它,用小型LC滤波器滤掉噪声。在低频串联接口网络中,有些杂散电容就足够将噪声分流到底板上。差分驱动的接口,如以太,通常是通过变压器耦合到I/O区域,是在变压器一侧或两侧的中心抽头提供耦合的。这些中心抽头经高压电容器与底板相连,将共模噪声分流到底板上,以使信号不发生失真。
( N6 X; W6 a4 W' k! j在I/O区域内的共模噪声- |/ }  l, S) n, ^/ t# A. T
  % |0 w: m+ Z5 |' Q/ s* {" l0 f
  没有一个通用办法来解决所有类型的I/O接口的问题。设计师们的主要目标是将电路设计好,而常常忽略了一些视为简单的细节。一些基本法则能使噪声在到达连接器以前,降至最小:% ~# p7 z0 W' k9 m% Z5 ]& L& ]+ h
  1)将去耦电容设置在紧挨负载处。
* Y. ?& D  Y+ k7 u% v( ~  2)快速变化的前后沿的脉冲电流,其环路尺寸应最小。
' T) n2 y: f) W0 l- o- ?  3)使大电流器件(即驱动器和ASIC)远离I/O端口。7 l! k# w& J7 T& H7 R6 P2 H$ s9 K
  4)测定信号的完整性,以保证过冲和下冲最小,特别是对于大电流的关键性信号(如时钟,总线)。/ h% ^' `" L# f+ x
  5)使用局部滤波,如RF铁氧体,可吸收RF干扰。
: b. T; M- }& r- {- ?5 ?  6)提供低阻抗搭接到底板上或在I/O区域的基准在底板上。$ h. Q0 X- u2 g( U# p
射频噪声和连接器: A; z- O5 a0 T
  / b7 v- p5 h3 W$ l& R
  即使工程师采取许多上述所列的预防措施,来减小在I/O区内的RF噪声,还不能保证这些预防措施能否成功地足够满足发射要求。有些噪声是传导干扰,即在内部电路板上按共模电流流动。这个干扰源是在底板和电路等之间。于是,这个RF电流一定通过最低阻抗(在底板和载信号线之间)的通路流动。如果连接器没呈现足够低的阻抗(与底板的搭接处),这RF电流经杂散电容流动。当这RF电流流过电缆时,不可避免地产生发射(图1A)。
5 q7 y4 N# K4 Y6 p7 k, m  使共模电流注入到I/O区的另一机理,是附近有强的干扰源的耦合。甚至有些“屏蔽”连接器也无用,因为干扰源就在连接器附近,如PC机环境。如果在连接器和底板之间有一个缺口,此处所感应的RF电压可以使EMC性能下降(图1B)。
3 r8 x0 J  h. ^  屏蔽连接器方法有,加指形簧片或垫片。连接器的搭接,是在连接器和机壳之间填满空处。这个方法要求有一个衬垫(图2A)。金属衬垫较好,只要处理合适,也就是说,只要表面不被污染,只要手不触及或损坏衬垫以及只要有足够的压力,以保持好的、低阻抗的接触。6 O! x2 U: P6 R7 B5 L
  , Z, h0 I* V, `- Z& M& n0 p7 W
  别的方法是连接器装接头片或者把连接器安装在机壳上。此时,最大接触面稍微小些,且应严格控制接头片的尺寸和弹性。安装屏蔽连接器时,在机壳上开口,开口的一侧要去掉油污(图2B),要仔细制作,若公差不合适,导致连接器在机壳内陷入太深,使搭接中断。每位EMC工程师知道,在“极好”的系统当中,这个问题一定要满足发射要求,并在生产线及时检查。未紧固的或弯曲的衬垫,安装于关键区域(如安装连接器的开口)的油污上,将失效。& y1 I6 Q3 s# ^) F; d( Y
  由于下述原因选用了EMI连接器;8 |% b- b6 h0 g, M5 T/ ~
  
7 r2 H) j7 b4 r  1)导电发泡塑料是极其柔软的,且能放在连接器的整个周围。这就消除了与另一机壳、衬垫有关的问题。' `0 p4 S* j1 ^! D$ J
  2)机械工程师可以在系统机壳可接收的公差范围内安装连接器。* }7 U$ b5 e2 L! e; Z# G
  3)连接器与机壳实现低阻抗搭接,以保证良好接触。机壳壁内侧上的衬垫,当要涂漆有遮蔽要求时,可以用更柔软的材料。
0 l4 a$ ?6 t5 I  4)要求强迫冷却的设计,衬垫最好有另一特点:连接器和机壳壁之间的缝应密封起来,以减少气漏。在有尘埃的环境中,衬垫要起到系统内保持干净。
4 r0 n8 D$ d1 T- Y: J2 ~4 R结论
4 ~6 O6 ^4 s2 P8 k0 x  {  % b7 z# g6 ^* u5 `
  当前市场上有各种各样的连接器,能使设计师为特殊接口,获得最佳设计.
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