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目录：
S$ S$ B4 s! `# F! T1 ?8 `
3 A# p- P4 o0 f2 P* v先进可靠性分析导论
. J A; u4 y* p K) Q ┃
$ D! x* f+ e" i6 L; O ┣第一部分 概述% U# \$ e( n5 u: l3 A* K
┃┃
7 l6 e( ?8 z/ `# |5 {: _. q2 D ┃┣1.可靠性工作的目的" i x" s% O2 i9 o9 z% r, \
┃┣2.可靠性工作的理论基础
; j8 q/ b7 a% v/ c5 m ┃┣3.可靠性工作的核心途径
0 O7 L7 `( ^5 |& }: ~ ┃┣4.可靠性分析的入手点
" d; f( B1 I, a2 j ┃┣5.研究失效问题的工具
% N7 Z% M( ^& p, P- T ┃┗6.可靠性数据
2 K6 q6 r9 y+ R. t ┃( ^5 V% u1 J: e% B" r; D
┗第二部分: J" d* u3 `3 Q3 p0 x# |
┃
; Z; b0 v4 Y' t h2 `& p& i3 } ┣第一讲：失效分析概论8 p' C. K( a3 ^! p) l' p Q4 o
┃┃) ^0 v& A# x: p/ e- \( C% R" @ g
┃┣1.基本概念7 |, s. d$ {+ D9 H: O
┃┣2.失效分析的定义和作用
4 D! E4 u1 P* F* h ┃┣3.失效模式# W4 Z0 m/ o* a6 j5 u- d
┃┣4.失效机理
" F, c% j8 l4 c! n0 { ┃┗5.一些标准对失效分析的要求
; s% E% g. `) x. H& k ┃
+ x( l; a, N) V2 l5 C2 }, {; Z ┣第二讲：分析技术及设备
) M4 V) l* f% s ┃┃
% t! r1 D& C" o3 b/ e3 s ┃┣1.失效分析程序
8 A3 Z5 G* t/ O, e: U( K0 g ┃┣2.非破坏性分析技术
: W3 k. a; [# @ ┃┣3.半破坏性分析技术2 e, x5 }& b* H' O
┃┣4.破坏性分析技术
: _$ ?* \2 K/ b0 a ┃┗5.分析技术与设备清单
; X- B7 B3 L. r- w% E ┃6 X( }9 g5 {* q( t
┗第三讲：失效分析典型案例
/ N* q2 n" @ N' I, _0 I. A ┃3 L0 `; r1 o& t' G- p
┣电路设计缺陷引起的失效2 R% k, z( x6 V& }) b* D
┣CMOS IC闩锁效应失效
1 V5 K) \% h) t$ d J ┣ESD—静电放电损伤失效8 f7 \2 z& d3 f* P
┣过电损伤失效. I5 e C* c* F& c8 G9 \
┣电腐蚀失效* X/ Q, k9 n3 n
┣污染0 p7 J6 l* T u% T7 J5 I1 {3 }/ x
┣机械应力损伤失效
0 m, g: [2 i& n4 t% y ┣热结构缺陷引起过热失效( `9 s/ S! S+ v7 M9 D
┣材料缺陷案例
/ i O7 _+ j% e( p ┣工艺缺陷案例
! n; F5 J% t% x L" a3 J& E ┣寿命失效
( M( y }4 X r5 A$ P+ o ┗小结 |
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发表于 2007-7-16 13:08
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