安规网

标题: 关于光耦的爬电距离的确定？、 [打印本页]

作者: wolfxu 时间: 2010-4-20 16:17
标题: 关于光耦的爬电距离的确定？、
如果在光耦的初次级之间有条1.2MM的开槽，那么爬电距离应该如何确定？有经验的同仁是否可以指点一下？谢谢！

作者: lao_xia 时间: 2010-4-20 16:45
那就从光耦的本体爬过去呀！

作者: bowking 时间: 2010-4-20 16:54
其實你有附上圖的話大家比較好討論~~

另外溝的長度也有差別!!!!

作者: Andy.Yang 时间: 2010-4-20 16:58
the with for the ditch should be considered

作者: szqwe 时间: 2010-4-20 17:00
槽大于1mm，从槽的两端取直线距离到一二次电路吧，相加。

作者: yaoyao_kgb 时间: 2010-4-20 17:02
光耦本体一般不考虑了，认为单独认证的时候外部爬电距离满足要求的
量光耦本体如果能满足要求最好，不能的话，如果光耦紧靠PCB的话就比较麻烦了，CTI不好确定，用光耦的或PCB的都不合适，把这部分电路单独做个PTI确定貌似比较合适

作者: babyliss 时间: 2010-4-20 18:42
光耦初次级电气距离4.0,爬电距离4.8mm

作者: ok_hmh 时间: 2010-4-20 19:27
一看你光耦是不是额定使用，如果额定使用，槽的宽度也够的话爬电距离可以过的。另外我在这问下，各位在做认证的时候有没有考量光耦里面的穿透距离啊？（注：我做的产品是需要固体绝缘厚度（0.3mm)的，但是现在使用的光耦它内部的绝缘厚度达不到，请问怎么判？外部的电气间隙和爬电距离我们已经不考虑了）

作者: cimlihy 时间: 2010-4-21 13:15

引用第2楼bowking于2010-04-20 16:54发表的 :, B/ x2 b9 U0 f9 ^
其實你有附上圖的話大家比較好討論~~. E( Z) j) F2 t7 a7 s1 @% K
w$ O; ^, Z& E% f4 g# V
另外溝的長度也有差別!!!!

应该是沟的深度有关系吧

作者: foleyzheng 时间: 2010-4-25 14:00
通常我司根据电路电压的不同而选择光藕脚距不一样的。而且是通过UL or VDE认证的器件。所以不再考虑光藕本体的距离问题。如果是PCB光藕下的PCB板的距离不够而开的槽的话，那就只考虑槽的要求就好了。

作者: ajay 时间: 2010-4-25 14:26
满足IEC 60747-5-5-2007的光藕,对本体无更多的测试要求,见CTL PDSH 759.
所以,测量光藕的绝缘距离只要考虑PCB上布线和焊盘之间的距离.

作者: 追云 时间: 2010-4-26 10:13
要算槽的深度的吧

作者: wolfxu 时间: 2010-4-26 17:37
我的意思是这么计算延面距离啊？因为中间有沟槽，并且两边是打通的，如何量测啊？标准上好像没有讲到这种情况，各位知道如何处理的或者知道标准的哪部分有讲解到这个部分可否提示小弟一下啊？

作者: ok_hmh 时间: 2010-4-26 18:44
仔细看下标准？

作者: wpcily 时间: 2010-5-20 15:35
可参考附录F，有关于槽宽X的说明！

欢迎光临安规网 (http://bbs2.angui.org/)